+ 7 000 000-00-00   
+ 7 000 000-00-00   
ICQ: 630431133
6695788@mail.ru       
Электрические гирлянды, продажа, доставка и монтаж в Москве
ООО «ВИГМА», время работы: пн - чт с 11:00 до 16:00, выходные: пт - вс!

Другой метод основан на контроле падения выходной мощности прибора и его компенсации путем увеличения управляющего тока. Когда управляющий ток достигает определенной относительной величины (30%) прибор считается вышедшим из строя. Некоторые механизмы отказа и дефекты также могут инициировать выход из строя светодиодов. Специалисты по надежности не должны фокусироваться исключительно на влиянии температуры и плотности тока, потому что такой подход может привести к неверному отбору продуктов.

Деградация активной области

Излучение света в светодиоде происходит в результате рекомбинации инжектированных носителей в активной области. Зарождение и рост дислокаций, также как преципитация узловых атомов, приводит к деградации внутренней части этой области. Эти процессы могут осуществиться только при наличии дефекта кристаллической структуры; высокая плотность инжектированного тока, разогрев из-за инжектированного тока и тока утечки, а также испускаемый свет ускоряют развитие дефекта. Выбор материала также имеет значение, так как система AlGaAs/GaAs гораздо более чувствительна к этому механизму отказа, чем система InGaAs (P)/InP. Система InGaN/GaN (для голубого и зеленого излучения) нечувствительна к дефектам, подобным описанным выше. В активных областях этих диодов могут встречаться простые p-n-переходы, встроенные гетероструктуры и множественные квантовые ямы.

На границах раздела таких структур неизбежны изменения химического состава или даже параметров решетки. При высоком уровне инжекции химические компоненты могут мигрировать путем электромиграции в другие области. Структурные изменения порождают кристаллические дефекты наподобие дислокаций и точечных дефектов, которые ведут себя как неизлучающие центры, препятствующие естественной излучающей рекомбинации и в результате генерирующие дополнительное тепло внутри активного слоя.

Деградация электродов

Деградация электродов в светодиодах в основном имеет место на электроде р-области (обычно прибор состоит из подложки n-типа, и электрод р-области формируется вблизи активной области прибора). Основная причина деградации электрода заключается в диффузии металла во внутреннюю область (так называемая периферийная диффузия) полупроводника. Диффузия усиливается с увеличением инжектированного тока и температуры. К сожалению, выбрать подходящий материал для омического контакта к р-области систем InGaN/GaN довольно сложно из-за большой ширины запрещенной зоны GaN р-типа.

 
Цены указаны по состоянию на утро Воскресенье 11 Апрель 2021
ООО «ВИГМА», интернет-магазин «Праздник света»® с доставкой по Москве и России
Доставляем заказы от 2 000 рублей. Стоимость доставки — 250 рублей.
Расскажем, покажем, дадим бонус за крупный заказ, привезём и подключим!
Доставка, розница и опт, нал и безнал!
Продажа, монтаж, цены в каталоге, доставка по России!
Тел.: +0 000 000-00-00, +0 000 000-00-00
ICQ: 630431133
E-mail: 6695788@mail.ru
Работаем в Москве. Звоните с 11:00 до 16:00 каждый день выходные: пт - вс!